日前，設(shè)計(jì)與制造高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的RF Micro Devices(RFMD)在其分析日宣布，公司已通過(guò)了第一代48V氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)的技術(shù)認(rèn)證。

    RFMD是復(fù)合半導(dǎo)體制造商，公司充分利用了現(xiàn)有制造資產(chǎn)以及在高量產(chǎn)復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造方面業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的專(zhuān)業(yè)技能，以提供其最新GaN工藝技術(shù)所具有的良好熱性能及RF性能。RFMD已開(kāi)始向多個(gè)終端市場(chǎng)中的客戶(hù)預(yù)批量發(fā)運(yùn)其48V GaN技術(shù)。

    RFMD的48V GaN工藝技術(shù)非常適于滿(mǎn)足客戶(hù)日益增長(zhǎng)的對(duì)更高功率、更高效率及更大帶寬的需求。公司正在瞄準(zhǔn)多個(gè)高增長(zhǎng)應(yīng)用，包括高線性有線電視線路放大器、軍用雷達(dá)應(yīng)用、高帶寬無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施功率放大器，以及面向創(chuàng)新高亮度光發(fā)生應(yīng)用的功率模塊。

    RFMD多市場(chǎng)產(chǎn)品部總裁Bob Van Buskirk指出：“我們正在生產(chǎn)以及正在開(kāi)發(fā)的多個(gè)產(chǎn)品將從我們最新GaN技術(shù)的引用中獲益。這種新的工藝技術(shù)為我們新成立的多市場(chǎng)產(chǎn)品組提供了直接的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，我們GaN技術(shù)在多個(gè)終端市場(chǎng)中的不斷部署將支持我們有關(guān)收入與利潤(rùn)隨我們多市場(chǎng)產(chǎn)品組的持續(xù)發(fā)展而增長(zhǎng)的預(yù)期。”

    Van Buskirk繼續(xù)說(shuō)道，“與當(dāng)前可用的技術(shù)相比，RFMD的新GaN工藝技術(shù)可提供更高效率、更大的運(yùn)行帶寬以及更高的強(qiáng)健性。這些性能特性正在支持多個(gè)高增長(zhǎng)應(yīng)用中的有利設(shè)計(jì)活動(dòng)�！�