4G牌照的發(fā)放為業(yè)界帶來(lái)一片光明。發(fā)牌既標(biāo)志著4G新時(shí)代的開(kāi)篇，也是我國(guó)在3G時(shí)代技術(shù)積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商，或?qū)⒃谛碌臅r(shí)間節(jié)點(diǎn)下完成新的“使命必達(dá)”。

    邁向新制程

    隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣，未來(lái)TD-LTE芯片和終端需進(jìn)一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進(jìn)。

    全產(chǎn)業(yè)鏈的相對(duì)成熟是4G發(fā)牌時(shí)必需的考量，雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個(gè)顯見(jiàn)的事實(shí)是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關(guān)鍵。大唐電信集團(tuán)董事長(zhǎng)真才基就對(duì)記者表示，從芯片角度來(lái)看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國(guó)際的28nm技術(shù)已經(jīng)成熟，能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。希望中國(guó)4G終端芯片能夠較長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定在28nm工藝上發(fā)展，因其產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)越長(zhǎng)，對(duì)提高終端供給能力越有好處。

    在3G時(shí)代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導(dǎo)致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。但隨著TD-LTE時(shí)代的到來(lái)，隨著多模多頻基帶以及平臺(tái)芯片復(fù)雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，如果說(shuō)TD-LTD芯片的發(fā)展要汲取教訓(xùn)的話，那顯然28nm制程將成為未來(lái)芯片廠商采取的主要技術(shù)。

    聯(lián)芯科技副總裁劉積堂也強(qiáng)調(diào)，對(duì)于TD-LTE芯片市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，基于40nm工藝芯片的數(shù)據(jù)類終端可以滿足TD-LTE應(yīng)用需求。隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣，未來(lái)TD-LTE芯片和終端需進(jìn)一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進(jìn)，以提供更佳的用戶體驗(yàn)。聯(lián)芯正在研發(fā)的四核五模十頻TD-LTE芯片預(yù)計(jì)年底推出，將采用28nm工藝。

    締造新空間

    LTE FDD牌照暫未發(fā)放，以及中移動(dòng)TD-LTE終端策略的改變，為國(guó)內(nèi)芯片帶來(lái)一個(gè)“拾遺補(bǔ)缺”的“空間”。

    在4G牌照中，中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)聯(lián)通、中國(guó)電信首批均獲得TD-LTE網(wǎng)絡(luò)經(jīng)營(yíng)許可，LTE FDD牌照暫未發(fā)放，這為國(guó)內(nèi)芯片帶來(lái)一個(gè)“拾遺補(bǔ)缺”的“空間”。TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)楊驊就曾指出，國(guó)內(nèi)企業(yè)由于緊靠中國(guó)移動(dòng)的TD-SCDMA市場(chǎng)支撐，在LTE FDD領(lǐng)域積累相對(duì)不足，因而可先發(fā)展TD-LTE來(lái)滿足客戶的需求，當(dāng)發(fā)展到一定程度需要LTE FDD頻譜使用的時(shí)候，再引入LTE FDD制式，這樣就會(huì)給國(guó)內(nèi)企業(yè)一段時(shí)間去補(bǔ)LTE FDD的課，以具備為L(zhǎng)TE FDD和TD-LTE同時(shí)提供服務(wù)的能力。

    此外，中移動(dòng)TD-LTE終端策略的改變也帶來(lái)利好。據(jù)了解，中移動(dòng)TD-LTE終端策略發(fā)生了重大調(diào)整，不再堅(jiān)持“五模十頻”的硬指標(biāo)，明年年初將會(huì)引入“三模”產(chǎn)品。楊驊指出，這大大降低了技術(shù)門檻，還可將4G芯片和專利費(fèi)節(jié)省下來(lái)，國(guó)內(nèi)芯片廠商也將迎來(lái)更大的發(fā)展空間。同時(shí)，這有助于中移動(dòng)推“三�！钡那г�智能機(jī)，加快4G普及速度。Marvell全球副總裁李春潮說(shuō)，Marvell千元采用其TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模芯片方案將于第一季度推出，預(yù)計(jì)明年上半年，中國(guó)就會(huì)出現(xiàn)大量千元4G手機(jī)。

    對(duì)于另兩大運(yùn)營(yíng)商的需求，李春潮指出，中國(guó)電信對(duì)4G終端有不同需求，數(shù)據(jù)卡之類的產(chǎn)品并不需要CDMA。如果是智能終端，對(duì)4G手機(jī)的要求是同時(shí)兼容FDD-LTE、CDMA2000、GSM，Marvell的解決方案是“雙芯片”方案，比如用其PXA1088 LTE再外接CDMA的調(diào)制解調(diào)器，Marvell也會(huì)與中國(guó)電信探討合作。“中國(guó)聯(lián)通目前其4G終端方案與國(guó)際主流FDD運(yùn)營(yíng)商需求差別不大，Marvell目前的五模平臺(tái)可以滿足其需求�！崩畲撼边M(jìn)一步指出，“目前，Marvell的重點(diǎn)是加強(qiáng)與中國(guó)移動(dòng)合作，按需、按時(shí)地把我們的方案推廣到市場(chǎng)上�！�

    需要注意的事，雖然國(guó)內(nèi)廠商暫時(shí)可以“放風(fēng)”，但著眼于長(zhǎng)遠(yuǎn)還是要提早布局LTE融合及演進(jìn)之道。“TD-LTE和LTE FDD很大程度是融合的，兩種技術(shù)在L2層以上的規(guī)范都是一樣的，只是在底層幀結(jié)構(gòu)有所不同。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，無(wú)論是4G或是將來(lái)的5G，都會(huì)在TD-LTE和LTE FDD兩種平臺(tái)平衡發(fā)展。從芯片的角度講，開(kāi)發(fā)工作要與新技術(shù)和新標(biāo)準(zhǔn)同步進(jìn)行�！� Marvell移動(dòng)產(chǎn)品總監(jiān)張路表示，“LTE在加速演進(jìn)，LTE-A明年就會(huì)在北美和歐洲開(kāi)始商用，中國(guó)芯片廠商還應(yīng)做相應(yīng)的技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)品研發(fā)�！�

    引發(fā)新挑戰(zhàn)

    具有強(qiáng)大數(shù)據(jù)和多媒體能力的高集成度智能手機(jī)芯片將是市場(chǎng)發(fā)展的主要方向，此外，在功耗、面積、成本方面需要不斷提升。

    TD-LTE芯片主要分成調(diào)制解調(diào)器和智能平臺(tái)這兩類形態(tài)。張路提到，調(diào)制解調(diào)器芯片主要應(yīng)用于高端智能手機(jī)，無(wú)線上網(wǎng)卡、Mi-Fi、Dongle和物聯(lián)網(wǎng)等;單芯片解決方案則應(yīng)用于手機(jī)和平板電腦等智能終端。雖然產(chǎn)品還會(huì)以這些形態(tài)出現(xiàn)，但技術(shù)還會(huì)不斷發(fā)展。

    除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外，從發(fā)展來(lái)看，TD-LTE智能終端還需應(yīng)用處理器具備強(qiáng)大的數(shù)據(jù)與多媒體處理能力。聯(lián)發(fā)科技中國(guó)區(qū)總經(jīng)理章維力說(shuō)，在4G時(shí)代，數(shù)據(jù)流量的爆發(fā)和智能手機(jī)多媒體化的發(fā)展成為主流特征，具有強(qiáng)大數(shù)據(jù)和多媒體能力的智能手機(jī)芯片將是市場(chǎng)發(fā)展的主要方向。

    此外功耗的降低和芯片面積的減少也是“必由之路”。有專家指出，一方面，相比2G、3G技術(shù)，LTE高速的數(shù)據(jù)傳輸處理和特有的天線技術(shù)，都需要消耗更多的功耗，但用戶對(duì)終端設(shè)備電池續(xù)航能力的要求卻在不斷提高;另一方面，技術(shù)的復(fù)雜度也在一定程度上增加了LTE芯片的面積，隨著終端支持的頻段增多，通常射頻芯片需提供的接收通道也會(huì)增加，頻段增加影響射頻前端器件的數(shù)量，因此，多頻段引入將增加終端射頻前端器件成本。但終端設(shè)備的輕薄化和外觀設(shè)計(jì)的時(shí)尚化，都需要盡可能壓縮主板面積，功耗和面積已成為重要的挑戰(zhàn)。