PCIM Asia 2014上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會于6月17至19日在上海世博展覽館隆重召開，作為引領(lǐng)全球市場的電機產(chǎn)品供應商三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品盛裝亮相展會，吸引了眾多觀眾的關(guān)注。

    今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。

    在新產(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流75A至2500A;繼承傳統(tǒng)的三種封裝，適應不同的結(jié)構(gòu)設計需求;采用預涂熱界面材料，降低模塊與散熱器的接觸熱阻。

    在高端變頻器和伺服驅(qū)動器應用方面，三菱電機這次推出的G系列IPM(智能功率模塊)，采用第7代CSTBTTM硅片，進一步降低損耗;采用更適合伺服驅(qū)動應用的窄長形封裝;兼容控制管腳和現(xiàn)有L1系列相同。

    對于鐵路牽引和直流輸電應用，新推出了X系列HVIGBT。其采用了最新一代HVIGBT，進一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的電流等級;應用第7代IGBT和RFC Diode硅片技術(shù)，實現(xiàn)更低飽和壓降和開關(guān)損耗;采用針對電力傳輸應用的6500V/1000A單管HVIGBT。

    在電動汽車應用上，最新的J1系列EV T-PM模塊，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊;應用低損耗的第7代IGBT硅片技術(shù);與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%;適合體積緊湊的電動車。

    另外，針對太陽能發(fā)電，三菱電機還展出三電平逆變器用IGBT模塊，它的特色是低損耗、低電感、高絕緣和易并聯(lián)，能完全滿足正在發(fā)展的太陽能發(fā)電市場的需要。